【晶体管 - FET，MOSFET - 射频_BLF177CR,112】封装/厂家_BLF177CR,112中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BLF177CR,112

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： BLF177CR,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF177CR,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF177CR,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF177CR,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet N 通道 50V 100mA 150W CRFM4。您可以下载BLF177CR,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF177CR,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的 BLF177CR,112 是一款射频功率晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。其主要应用场景集中在射频通信、广播和工业领域，具体如下：

 1. 射频通信设备
   - 无线通信基站：BLF177CR,112 可用于蜂窝网络基站中的射频功率放大器，支持高频信号传输，满足 2G、3G 和 4G 网络的需求。
   - 对讲机和中继器：在专业无线电通信系统中，该器件可提供高效率的射频功率输出，确保信号覆盖范围广且稳定。

 2. 广播系统
   - 调频广播（FM）发射机：这款晶体管适用于 FM 广播发射机的功率放大级，能够处理高频率信号并提供稳定的输出功率。
   - 电视广播：在模拟或数字电视广播系统中，可用于射频功率放大，确保信号清晰传输至接收端。

 3. 工业与科学应用
   - 等离子体生成：在工业等离子体设备中，射频功率晶体管用于驱动高频电源，以激发气体形成等离子体，广泛应用于半导体制造、材料涂层等领域。
   - 射频加热：例如感应加热或微波加热设备，利用射频能量对材料进行高效加热。

 4. 业余无线电
   - 自制射频发射器：业余无线电爱好者可以使用 BLF177CR,112 构建高性能的射频功率放大器，用于短波或超短波通信。

 5. 雷达与导航系统
   - 在某些小型雷达或导航设备中，该晶体管可用于射频信号的功率放大，提高探测距离和精度。

 性能特点
- 工作频率范围宽，适合高频应用。
- 高输出功率和效率，降低能耗。
- 良好的线性度和稳定性，确保信号质量。

总之，BLF177CR,112 在需要高效射频功率放大的场景中表现出色，是通信、广播和工业领域的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR RF DMOS SOT121B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF177CR,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CRFM4
其它名称	934058717112 BLF177CR BLF177CR-ND
功率-输出	150W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	19dB
封装/外壳	SOT-121B
晶体管类型	N 通道
标准包装	40
电压-测试	50V
电压-额定	125V
电流-测试	100mA
频率	108MHz
额定电流	16A