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  • 型号: BLF177,112
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF177,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF177,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF177,112封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet N 通道 50V 700mA 108MHz 19dB 150W CRFM4。您可以下载BLF177,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF177,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc.生产的BLF177,112是一款射频晶体管,属于FET(场效应晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。其主要应用场景包括:

1. 射频功率放大器:BLF177,112广泛应用于射频功率放大器中,用于提高信号强度,适用于广播、通信和工业加热等领域。该器件在高频段表现出优异的性能,能够提供高增益和高效率。

2. 无线通信系统:这款晶体管可用于基站、中继站和其他无线通信设备中,以增强信号传输距离和质量。它支持多种通信标准,如GSM、CDMA、WCDMA等。

3. 广播电视:在电视和广播发射机中,BLF177,112可以作为核心功率放大组件,确保信号覆盖范围广且清晰度高。

4. 工业、科学和医疗(ISM)应用:该晶体管也适用于ISM频段内的各种设备,例如微波加热、等离子体生成和医疗成像设备等。

5. 航空航天与国防:由于其出色的射频性能和可靠性,BLF177,112还可用于雷达系统、卫星通信以及电子对抗设备中。

总之,BLF177,112凭借其卓越的射频性能,在需要高效能功率放大的各类电子设备中发挥着关键作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF DMOS SOT121B

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

产品型号

BLF177,112

PCN封装

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

产品目录绘图

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供应商器件封装

CRFM4

其它名称

568-2386
933930010112
BLF177
BLF177-ND
BLF177112

功率-输出

150W

包装

托盘

噪声系数

-

增益

19dB

封装/外壳

SOT-121B

晶体管类型

N 通道

标准包装

20

电压-测试

50V

电压-额定

125V

电流-测试

-

频率

108MHz

额定电流

16A

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