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Datasheet下载- 型号： BLF175,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF175,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF175,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF175,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 50V 30mA 108MHz 20dB 30W CRFM4。您可以下载BLF175,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF175,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 生产的 BLF175,112 是一款射频 (RF) MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频放大器应用。该型号晶体管具有出色的高频性能和高功率处理能力，适用于多种无线通信和工业应用领域。 应用场景： 1. 无线通信基站： BLF175,112 广泛应用于蜂窝基站、微波链路和中继站等无线通信基础设施中。它能够提供高增益和高效率，确保信号传输的稳定性和可靠性。特别是在 4G LTE 和 5G 基站中，这款晶体管可以有效地放大射频信号，满足高速数据传输的需求。 2. 雷达系统： 在军事和民用雷达系统中，BLF175,112 可用于发射机部分，负责放大脉冲或连续波信号。其高功率输出和低噪声特性使得雷达系统能够在远距离上精确探测目标，并提高系统的分辨率和抗干扰能力。 3. 广播设备： 对于 FM 和 TV 广播发射机，BLF175,112 可以作为功率放大器的关键组件。它能够将音频或视频信号转换为高强度的射频信号，通过天线发送出去，覆盖广泛的地理区域。其高效能设计减少了能量损耗，降低了运营成本。 4. 工业加热与等离子体生成： 在工业应用中，如感应加热、焊接和等离子体生成，BLF175,112 可用于产生高频电磁场。这些应用需要高功率射频源来激发材料中的电流或离子化气体，从而实现高效的加热或加工过程。 5. 测试与测量设备： 射频测试仪器，如信号发生器和频谱分析仪，也常常使用 BLF175,112 来生成和放大标准射频信号。这有助于工程师和技术人员对各种电子设备进行精确的性能评估和故障诊断。 总之，BLF175,112 凭借其卓越的射频性能和高功率处理能力，在多个领域中扮演着重要角色，尤其是在需要高效能射频放大的应用场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A射频MOSFET晶体管 RF DMOS 30W HF-VHF |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BLF175,112- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BLF175,112 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 68 W |
| Pd-功率耗散 | 68 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 125 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 125 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | CRFM4 |
| 其它名称 | 568-2400 |
| 功率-输出 | 30W |
| 功率耗散 | 68 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.5 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-123A |
| 封装/箱体 | SOT-123A |
| 工厂包装数量 | 40 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 20 |
| 汲极/源极击穿电压 | 125 V |
| 漏极连续电流 | 4 A |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 30mA |
| 输出功率 | 30 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 零件号别名 | BLF175 |
| 频率 | 108 MHz |
| 额定电流 | 4A |
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