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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF175,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF175,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF175,112封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet N 通道 50V 30mA 108MHz 20dB 30W CRFM4。您可以下载BLF175,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF175,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A射频MOSFET晶体管 RF DMOS 30W HF-VHF |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
Id-连续漏极电流 | 4 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BLF175,112- |
数据手册 | |
产品型号 | BLF175,112 |
PCN封装 | |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 68 W |
Pd-功率耗散 | 68 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 125 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 125 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
产品类型 | RF MOSFET Power |
供应商器件封装 | CRFM4 |
其它名称 | 568-2400 |
功率-输出 | 30W |
功率耗散 | 68 W |
包装 | 托盘 |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数 | - |
增益 | 20 dB |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 1.5 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | SOT-123A |
封装/箱体 | SOT-123A |
工厂包装数量 | 40 |
技术 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | MOSFET Power |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 20 |
汲极/源极击穿电压 | 125 V |
漏极连续电流 | 4 A |
电压-测试 | 50V |
电压-额定 | 125V |
电流-测试 | 30mA |
输出功率 | 30 W |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
零件号别名 | BLF175 |
频率 | 108 MHz |
额定电流 | 4A |