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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS RF NPN 2.8V 70MA DFP4射频双极晶体管 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFU768F,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BFU768F,115 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 155 @ 10mA,2V |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-343R |
其它名称 | 934066851115 |
功率-最大值 | 220mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.1dB @ 2.4GHz |
增益 | 13.1dB |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-343F |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 2.8V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 70mA |
频率-跃迁 | - |