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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU760F,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU760F,115价格参考。NXP SemiconductorsBFU760F,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 2.8V 70mA 45GHz 220mW Surface Mount 4-DFP。您可以下载BFU760F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFU760F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS RF NPN 2.8V 70MA SOT343F射频双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFU760F,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BFU760F,115 |
PCN封装 | |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 155 @ 10mA,2V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25714 |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | 4-DFP |
其它名称 | 568-8458-6 |
功率-最大值 | 220mW |
功率耗散 | 220 mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 1 V |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz |
增益 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-343F |
封装/箱体 | SOT-343 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | SiGe |
晶体管类型 | NPN |
最大工作频率 | 110 GHz |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 2.8V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 70mA |
类型 | RF Silicon Germanium |
集电极—发射极最大电压VCEO | 2.8 V |
集电极连续电流 | 70 mA |
频率 | 110 GHz |
频率-跃迁 | 45GHz |