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BFU630F,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU630F,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU630F,115价格参考。NXP SemiconductorsBFU630F,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 5.5V 30mA 21GHz 200mW Surface Mount 4-DFP。您可以下载BFU630F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFU630F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFU630F,115 是由 NXP USA Inc. 生产的双极射频晶体管 (BJT),广泛应用于高频和射频领域。以下是该型号的主要应用场景: 1. 无线通信设备 BFU630F,115 常用于无线通信系统中的射频前端模块,如手机、对讲机、无线路由器等。它能够处理高频信号的放大和调制,确保信号在传输过程中保持稳定和清晰。其低噪声特性和高增益性能使其非常适合用于接收端的低噪声放大器 (LNA) 和发射端的功率放大器。 2. 射频识别 (RFID) 系统 在 RFID 系统中,BFU630F,115 可以用于读写器或标签中的射频信号处理。它能够有效地放大和调制射频信号,确保数据的准确传输。尤其是在高频 RFID 应用中,该晶体管的高频率响应特性可以显著提高系统的可靠性和效率。 3. 射频测试与测量仪器 在射频测试设备中,如频谱分析仪、信号发生器等,BFU630F,115 被用作关键的信号放大元件。它的高线性度和宽频带特性使得它可以精确地放大和处理各种复杂的射频信号,帮助工程师进行准确的测试和分析。 4. 卫星通信 BFU630F,115 在卫星通信系统中也有广泛应用,特别是在地面站和卫星终端之间的信号传输中。它能够处理高频段的射频信号,确保信号在长距离传输过程中的稳定性和可靠性。其低噪声特性和高增益特性使其成为卫星通信系统中不可或缺的组件。 5. 医疗设备 在一些医疗设备中,如超声波设备、心电图仪等,BFU630F,115 用于射频信号的处理和放大。它能够确保信号的高保真度,从而提高诊断的准确性。此外,该晶体管的低功耗特性也有助于延长设备的电池寿命。 6. 工业自动化 在工业自动化领域,BFU630F,115 可用于射频控制和通信模块中,如无线传感器网络 (WSN) 和工业物联网 (IIoT) 设备。它能够提供稳定的射频信号处理能力,确保数据的实时传输和设备的高效运行。 总之,BFU630F,115 凭借其优异的射频性能和广泛的适用性,在多个领域中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR NPN SOT343F射频双极晶体管 Single NPN 21GHz |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFU630F,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BFU630F,115 |
PCN封装 | |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 90 @ 5mA,2V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25714 |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | 4-DFP |
其它名称 | 568-8453-2 |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz |
增益 | 13dB ~ 22.5dB |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-343F |
封装/箱体 | SOT-343F |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 5.5V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 30mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 90 |
类型 | RF Bipolar Small Signal |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 5.5 V |
集电极连续电流 | 3 mA |
频率-跃迁 | 21GHz |