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BFU630F,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU630F,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU630F,115价格参考。NXP SemiconductorsBFU630F,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 5.5V 30mA 21GHz 200mW Surface Mount 4-DFP。您可以下载BFU630F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFU630F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFU630F,115是一种N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),具有低导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效能、快速响应和可靠性的场合。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 BFU630F,115常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为功率开关器件。它可以有效地控制电流的通断,实现高效的能量转换。在DC-DC转换器、AC-DC适配器等应用中,BFU630F,115能够提供稳定的电压输出,并且由于其低导通电阻,减少了功率损耗,提高了整体效率。 2. 电机驱动 在电机控制系统中,BFU630F,115可以用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。通过PWM(脉宽调制)技术,BFU630F,115可以精确控制电机的速度和转矩,同时保持较低的功耗和发热。其快速开关特性使得电机的动态响应更加灵敏,适合应用于工业自动化、机器人等领域。 3. 电池管理系统 BFU630F,115也适用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。它可以作为保护开关,防止电池过充、过放或短路。由于其低导通电阻,BFU630F,115能够在大电流条件下保持较低的温升,确保电池的安全性和可靠性。 4. 负载开关 在消费电子产品中,BFU630F,115可以用作负载开关,控制不同负载之间的电源分配。例如,在智能手机、平板电脑等便携式设备中,BFU630F,115可以快速切断或接通电源,以节省能源并延长电池寿命。 5. 逆变器和变频器 BFU630F,115还可以应用于逆变器和变频器中,用于将直流电转换为交流电,或调节交流电的频率和幅值。其高开关速度和低损耗特性使其成为这些应用的理想选择,尤其是在太阳能逆变器和家电变频器中。 总之,BFU630F,115凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、负载开关以及逆变器等领域,满足了现代电子设备对高效能和小型化的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR NPN SOT343F射频双极晶体管 Single NPN 21GHz |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFU630F,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BFU630F,115 |
PCN封装 | |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 90 @ 5mA,2V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25714 |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | 4-DFP |
其它名称 | 568-8453-2 |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz |
增益 | 13dB ~ 22.5dB |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-343F |
封装/箱体 | SOT-343F |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 5.5V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 30mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 90 |
类型 | RF Bipolar Small Signal |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 5.5 V |
集电极连续电流 | 3 mA |
频率-跃迁 | 21GHz |