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  • 型号: BFU630F,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BFU630F,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BFU630F,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU630F,115价格参考。NXP SemiconductorsBFU630F,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 5.5V 30mA 21GHz 200mW Surface Mount 4-DFP。您可以下载BFU630F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFU630F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BFU630F,115是一种N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),具有低导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效能、快速响应和可靠性的场合。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
BFU630F,115常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为功率开关器件。它可以有效地控制电流的通断,实现高效的能量转换。在DC-DC转换器、AC-DC适配器等应用中,BFU630F,115能够提供稳定的电压输出,并且由于其低导通电阻,减少了功率损耗,提高了整体效率。

 2. 电机驱动
在电机控制系统中,BFU630F,115可以用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。通过PWM(脉宽调制)技术,BFU630F,115可以精确控制电机的速度和转矩,同时保持较低的功耗和发热。其快速开关特性使得电机的动态响应更加灵敏,适合应用于工业自动化、机器人等领域。

 3. 电池管理系统
BFU630F,115也适用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。它可以作为保护开关,防止电池过充、过放或短路。由于其低导通电阻,BFU630F,115能够在大电流条件下保持较低的温升,确保电池的安全性和可靠性。

 4. 负载开关
在消费电子产品中,BFU630F,115可以用作负载开关,控制不同负载之间的电源分配。例如,在智能手机、平板电脑等便携式设备中,BFU630F,115可以快速切断或接通电源,以节省能源并延长电池寿命。

 5. 逆变器和变频器
BFU630F,115还可以应用于逆变器和变频器中,用于将直流电转换为交流电,或调节交流电的频率和幅值。其高开关速度和低损耗特性使其成为这些应用的理想选择,尤其是在太阳能逆变器和家电变频器中。

总之,BFU630F,115凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、负载开关以及逆变器等领域,满足了现代电子设备对高效能和小型化的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN SOT343F射频双极晶体管 Single NPN 21GHz

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFU630F,115-

数据手册

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产品型号

BFU630F,115

PCN封装

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不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

90 @ 5mA,2V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25714

产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

4-DFP

其它名称

568-8453-2
934064609115
BFU630F,115-ND
BFU630F115

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

2.5 V

商标

NXP Semiconductors

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

增益

13dB ~ 22.5dB

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-343F

封装/箱体

SOT-343F

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

5.5V

电流-集电极(Ic)(最大值)

30mA

直流集电极/BaseGainhfeMin

90

类型

RF Bipolar Small Signal

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

5.5 V

集电极连续电流

3 mA

频率-跃迁

21GHz

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