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Datasheet下载- 型号： BFS20W,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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BFS20W,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFS20W,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFS20W,115价格参考。NXP SemiconductorsBFS20W,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 25mA 470MHz 200mW 表面贴装 SOT-323-3。您可以下载BFS20W,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFS20W,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFS20W,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其主要应用场景包括： 1. 射频放大：该型号适合用于射频信号的放大，尤其是在高频通信设备中，如无线通信模块、对讲机和无线电收发器。 2. 混频器与调制解调器：在需要处理高频信号的电路中，BFS20W,115 可用作混频器或调制解调器的核心元件，实现信号的频率转换或调制解调功能。 3. 振荡器电路：由于其优异的高频性能，这款晶体管可以应用于振荡器电路中，生成稳定的高频信号，适用于时钟信号生成或信号源设计。 4. 开关应用：在高频开关电路中，BFS20W,115 能够快速切换状态，适用于数字通信中的信号切换或高速数据传输。 5. 低噪声放大：该晶体管具有较低的噪声特性，适合用于接收机前端的低噪声放大器（LNA），以提高信号接收质量。 6. 无线能量传输：在一些无线能量传输系统中，BFS20W,115 可用于高效的能量转换和信号调节。 7. 测试与测量设备：在精密测试仪器中，该晶体管可用于信号放大和处理，确保测量结果的准确性和稳定性。 总体而言，BFS20W,115 的高频特性和低噪声性能使其成为射频和无线通信领域的重要元件，广泛应用于各种高频电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 20V 25MA SOT323射频双极晶体管 TRANS HV TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFS20W,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFS20W,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 7mA，10V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-6813-6 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 4 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 470 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.025 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 25mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极连续电流 | 0.025 A |
| 零件号别名 | BFS20W T/R |
| 频率 | 470 MHz |
| 频率-跃迁 | 470MHz |
