Datasheet下载- 型号： BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFR840L3RHESDE6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR840L3RHESDE6327XTSA1价格参考。InfineonBFR840L3RHESDE6327XTSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFR840L3RHESDE6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFR840L3RHESDE6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
| 产品型号 | BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 功率耗散 | 75 mW |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.9 V |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | TSLP-3-9-3 |
| 工厂包装数量 | 15000 |
| 技术 | SiGe |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 75 GHz |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 系列 | BFR840L3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 2.25 V |
| 集电极连续电流 | 35 mA |
| 零件号别名 | SP000978848 |
| 频率 | 75 GHz |
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