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Datasheet下载- 型号： BFR30LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFR30LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR30LT1G价格参考。ON SemiconductorBFR30LT1G封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载BFR30LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFR30LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFR30LT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 JFET（结型场效应晶体管）。这款晶体管属于 N 沟道增强型器件，具有低噪声、高增益和出色的线性度等特性，因此在多种应用场景中表现出色。 主要应用场景： 1. 音频放大器： BFR30LT1G 由于其低噪声和高增益特性，非常适合用于音频信号的前置放大。它能够在不引入过多噪声的情况下，有效地放大微弱的音频信号，确保音频设备的音质纯净、清晰。 2. 射频（RF）电路： 在射频应用中，BFR30LT1G 的高增益和低噪声特性使其成为理想的放大器选择。它可以用于射频前端的低噪声放大器（LNA），提高接收信号的质量，减少干扰，适用于无线通信、雷达和其他高频应用。 3. 模拟开关： BFR30LT1G 可以用作模拟开关，尤其是在需要低导通电阻和快速开关速度的应用中。它的线性度和低漏电流特性使得它在多路复用器、采样保持电路等应用中表现出色。 4. 传感器接口： 由于其高输入阻抗和低噪声特性，BFR30LT1G 非常适合用于传感器信号的调理电路。它可以将来自传感器的微弱信号进行放大，而不会影响信号的完整性，广泛应用于压力传感器、温度传感器等精密测量系统中。 5. 电源管理： 在一些低功耗应用中，BFR30LT1G 可以用于电源管理电路中的电压调节或电流控制。它的低静态电流和高效率特性有助于延长电池寿命，适用于便携式设备和物联网（IoT）节点。 6. 混合信号处理： BFR30LT1G 的高线性度和低失真特性使其适合用于混合信号处理电路，如模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的前端缓冲器，确保信号在转换过程中不失真。 总之，BFR30LT1G 凭借其优异的电气性能，在音频、射频、模拟开关、传感器接口、电源管理和混合信号处理等多个领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 225MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFR30LT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 5V @ 0.5nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 4mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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