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产品简介:
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参数 | 数值 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | 射频双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFP840FESDH6327XTSA1 |
产品型号 | BFP840FESDH6327XTSA1 |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
功率耗散 | 75 mW |
发射极-基极电压VEBO | 2.6 V |
商标 | Infineon Technologies |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | TSFP-4 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | SiGe |
晶体管类型 | Bipolar |
最大工作温度 | + 150 C |
最大工作频率 | 85 GHz |
类型 | RF Silicon Germanium |
系列 | BFP840 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 2.25 V |
集电极连续电流 | 35 mA |
零件号别名 | SP000977846 |
频率 | 85 GHz |