ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > BFP640FE6327
Datasheet下载- 型号： BFP640FE6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFP640FE6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP640FE6327价格参考。InfineonBFP640FE6327封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 4.5V 50mA 40GHz 200mW Surface Mount 4-TSFP。您可以下载BFP640FE6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP640FE6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfp640f.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b291f205c5&fileId=db3a30431400ef6801142744b3d90716 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFP640FE6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 110 @ 30mA，3V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 4-TSFP |
| 其它名称 | BFP640FE6327INDKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| 增益 | 23dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 4.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 频率-跃迁 | 40GHz |
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