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BFG540W/X,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG540W/X,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG540W/X,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG540W/X,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 15V 120mA 9GHz 500mW Surface Mount CMPAK-4。您可以下载BFG540W/X,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFG540W/X,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS WIDEBAND 9GHZ SOT-343 15V射频双极晶体管 NPN 8V 120mA 9GHZ |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG540W/X,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BFG540W/X,115 |
PCN封装 | |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 40mA,8V |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | CMPAK-4 |
其它名称 | 568-6192-6 |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz |
增益 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
封装/箱体 | SOT-343 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar |
最大工作温度 | + 150 C |
最大工作频率 | 9000 MHz |
最大直流电集电极电流 | 0.12 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 15V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 120mA |
类型 | RF Bipolar Small Signal |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
集电极连续电流 | 0.12 A |
零件号别名 | BFG540W/X T/R |
频率 | 9000 MHz |
频率-跃迁 | 9GHz |