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  • 型号: BFG480W,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BFG480W,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG480W,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG480W,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 4.5V 250mA 21GHz 360mW Surface Mount CMPAK-4。您可以下载BFG480W,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFG480W,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的型号为 BFG480W,115 的双极射频晶体管(BJT)主要应用于高频和射频电路中,特别适用于无线通信、雷达系统、微波设备以及各种需要高频率和高功率处理能力的应用场景。以下是该型号的一些具体应用场景:

1. 无线通信设备:BFG480W,115 可用于设计和制造高性能的无线通信设备,如蜂窝基站、Wi-Fi路由器、蓝牙模块等。它能够提供稳定的放大性能和低噪声特性,确保信号传输的可靠性和清晰度。

2. 雷达系统:在军事和民用雷达系统中,这款晶体管可以作为功率放大器的关键组件,用于发射和接收高频信号。其高增益和高线性度有助于提高雷达系统的探测精度和范围。

3. 微波设备:包括微波炉、微波通信链路、卫星通信地面站等设备中,BFG480W,115 可以发挥重要作用。它能够在高频段内提供高效的功率输出,同时保持较低的热耗散,延长设备使用寿命。

4. 测试与测量仪器:在射频测试设备中,如频谱分析仪、信号发生器等,这款晶体管可用于构建精确的信号源或放大器,确保测试结果的准确性。

5. 业余无线电及实验平台:对于爱好者和科研人员来说,BFG480W,115 也是一个理想的选择,可以用于构建各种实验性质的射频电路,探索新的技术和应用。

总之,NXP 的 BFG480W,115 晶体管凭借其出色的射频性能和可靠性,广泛应用于多种高频电子设备和系统中,满足了从工业级到消费级市场的多样化需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R射频双极晶体管 NPN 4.5V 21GHZ

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG480W,115-

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产品型号

BFG480W,115

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 80mA,2V

产品目录页面

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产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

CMPAK-4

其它名称

568-1982-2
934055055115
BFG480W T/R

功率-最大值

360mW

功率耗散

360 mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

1 V

商标

NXP Semiconductors

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz

增益

16dB

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-82A,SOT-343

封装/箱体

SOT-343

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

23000 MHz

最大直流电集电极电流

0.25 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

4.5V

电流-集电极(Ic)(最大值)

250mA

类型

RF Bipolar Small Signal

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

4.5 V

集电极连续电流

0.25 A

零件号别名

BFG480W T/R

频率

23000 MHz

频率-跃迁

21GHz

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