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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG480W,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG480W,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG480W,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 4.5V 250mA 21GHz 360mW Surface Mount CMPAK-4。您可以下载BFG480W,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFG480W,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的型号为 BFG480W,115 的双极射频晶体管(BJT)主要应用于高频和射频电路中,特别适用于无线通信、雷达系统、微波设备以及各种需要高频率和高功率处理能力的应用场景。以下是该型号的一些具体应用场景: 1. 无线通信设备:BFG480W,115 可用于设计和制造高性能的无线通信设备,如蜂窝基站、Wi-Fi路由器、蓝牙模块等。它能够提供稳定的放大性能和低噪声特性,确保信号传输的可靠性和清晰度。 2. 雷达系统:在军事和民用雷达系统中,这款晶体管可以作为功率放大器的关键组件,用于发射和接收高频信号。其高增益和高线性度有助于提高雷达系统的探测精度和范围。 3. 微波设备:包括微波炉、微波通信链路、卫星通信地面站等设备中,BFG480W,115 可以发挥重要作用。它能够在高频段内提供高效的功率输出,同时保持较低的热耗散,延长设备使用寿命。 4. 测试与测量仪器:在射频测试设备中,如频谱分析仪、信号发生器等,这款晶体管可用于构建精确的信号源或放大器,确保测试结果的准确性。 5. 业余无线电及实验平台:对于爱好者和科研人员来说,BFG480W,115 也是一个理想的选择,可以用于构建各种实验性质的射频电路,探索新的技术和应用。 总之,NXP 的 BFG480W,115 晶体管凭借其出色的射频性能和可靠性,广泛应用于多种高频电子设备和系统中,满足了从工业级到消费级市场的多样化需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R射频双极晶体管 NPN 4.5V 21GHZ |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG480W,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BFG480W,115 |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 80mA,2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | CMPAK-4 |
其它名称 | 568-1982-2 |
功率-最大值 | 360mW |
功率耗散 | 360 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 1 V |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz |
增益 | 16dB |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
封装/箱体 | SOT-343 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar |
最大工作温度 | + 150 C |
最大工作频率 | 23000 MHz |
最大直流电集电极电流 | 0.25 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 4.5V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 250mA |
类型 | RF Bipolar Small Signal |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 4.5 V |
集电极连续电流 | 0.25 A |
零件号别名 | BFG480W T/R |
频率 | 23000 MHz |
频率-跃迁 | 21GHz |