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  • 型号: BFG35,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BFG35,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BFG35,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG35,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG35,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 18V 150mA 4GHz 1W Surface Mount SOT-223。您可以下载BFG35,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFG35,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 10V 150MA SOT223射频双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG35,115-

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产品型号

BFG35,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

25 @ 100mA,10V

产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-6187-1

功率-最大值

1W

功率耗散

1000 mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

2 V

商标

NXP Semiconductors

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

-

增益

-

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223

工厂包装数量

1000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

4000 MHz

最大直流电集电极电流

0.15 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

18V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

类型

RF Bipolar Small Signal

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

18 V

集电极连续电流

0.15 A

零件号别名

BFG35 T/R

频率

4000 MHz

频率-跃迁

4GHz

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