ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > BFG198,115
Datasheet下载- 型号： BFG198,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG198,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG198,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG198,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 10V 100mA 8GHz 1W Surface Mount SOT-223。您可以下载BFG198,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG198,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的 BFG198,115 是一款双极射频晶体管 (BJT)，主要用于高频和射频 (RF) 应用。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 射频放大器 BFG198,115 广泛应用于射频放大器中，特别是在需要高增益、低噪声和宽频带的场合。它可以在甚高频 (VHF) 和超高频 (UHF) 频段内提供稳定的性能，适用于通信设备中的信号放大，如无线发射机、接收机以及双向无线电等。 2. 混频器和调制器 在射频前端模块中，BFG198,115 可用于混频器和调制器的设计。它能够有效地处理高频信号的混合与调制，确保信号的准确性和稳定性。这类应用常见于卫星通信、雷达系统和移动通信基站等。 3. 振荡器 由于其优异的高频特性，BFG198,115 还可以用于构建高性能的射频振荡器。它可以产生稳定的高频载波信号，广泛应用于各种无线通信系统中，如蓝牙、Wi-Fi 和其他无线传输协议。 4. 低噪声放大器 (LNA) 在需要极低噪声系数的应用中，BFG198,115 可以作为低噪声放大器的核心元件。它能够在不显著增加噪声的情况下放大微弱的射频信号，适用于接收机前端，提高系统的灵敏度和信噪比。 5. 射频开关 尽管主要作为放大器使用，BFG198,115 也可以用于设计射频开关电路。它能够在高频下快速切换信号路径，适用于多通道通信系统或天线切换应用。 6. 测试与测量设备 在射频测试仪器中，如频谱分析仪、信号发生器等，BFG198,115 也被广泛应用。它能够确保这些设备在高频段内的精确性和可靠性。 总结 BFG198,115 晶体管凭借其出色的高频性能和低噪声特性，成为射频通信、雷达、测试测量等领域不可或缺的关键元件。无论是用于放大、混频还是振荡，它都能为系统提供稳定可靠的射频信号处理能力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 10V 8GHZ SC73射频双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG198,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG198,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 50mA，5V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-8478-6 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1000 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 8000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 零件号别名 | BFG198 T/R |
| 频率 | 8000 MHz |
| 频率-跃迁 | 8GHz |
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