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  • 型号: BFG135,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BFG135,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BFG135,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG135,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG135,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 15V 150mA 7GHz 1W Surface Mount SOT-223。您可以下载BFG135,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFG135,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的 BFG135 和 BFG115 是双极射频晶体管 (RF BJT),广泛应用于高频和射频电路设计中。以下是这两种型号的主要应用场景:

 1. 射频放大器
BFG135 和 BFG115 主要用于射频放大器的设计,特别是在低噪声放大器 (LNA) 和功率放大器 (PA) 中。它们在高频段(如 VHF、UHF 和微波频段)表现出色,适用于无线通信设备、卫星通信、雷达系统等。

- 低噪声放大器 (LNA):BFG135 和 BFG115 的低噪声系数使其成为 LNA 的理想选择,能够有效放大微弱的射频信号,同时保持较低的噪声水平,确保信号的清晰度。
- 功率放大器 (PA):这些晶体管在高频率下的高增益和高线性度特性,使得它们适合用于功率放大器,尤其是在需要高效传输射频信号的应用中。

 2. 混频器与调制解调器
在射频信号处理中,混频器和调制解调器是关键组件。BFG135 和 BFG115 可以用于构建高性能的混频器,帮助实现频率转换,从而支持多种无线通信标准,如 GSM、CDMA、Wi-Fi 等。

 3. 振荡器
这两种晶体管还可以用于构建高频振荡器,特别是在需要稳定且精确的频率源时。它们的高增益和良好的相位噪声特性使得它们非常适合用于本地振荡器 (LO) 和电压控制振荡器 (VCO)。

 4. 测试与测量设备
BFG135 和 BFG115 还广泛应用于射频测试与测量设备中,如频谱分析仪、网络分析仪等。这些设备需要高性能的射频元件来确保测量的准确性和可靠性。

 5. 医疗设备
在某些医疗设备中,如超声波成像设备和其他需要高频信号处理的仪器,BFG135 和 BFG115 也因其优异的射频性能而被采用。

总之,BFG135 和 BFG115 作为高性能的射频双极晶体管,适用于各种需要高频信号处理和放大的应用场景,尤其在无线通信、雷达、测试设备等领域表现突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 150MA 15V 7GHZ SOT223射频双极晶体管 NPN 150MA 15V 7GHZ

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG135,115-

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产品型号

BFG135,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 100mA,10V

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产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-1643-1

功率-最大值

1W

功率耗散

1000 mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

2 V

商标

NXP Semiconductors

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

-

增益

-

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223

工厂包装数量

1000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

7000 MHz

最大直流电集电极电流

0.15 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

15V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

类型

RF Bipolar Small Signal

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

15 V

集电极连续电流

0.15 A

零件号别名

BFG135 T/R

频率

7000 MHz

频率-跃迁

7GHz

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