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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223 |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfg196.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114265d765605f3 |
产品图片 | |
产品型号 | BFG 196 E6327 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,8V |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
其它名称 | BFG196E6327T |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
增益 | 9dB ~ 14.5dB |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 2,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
频率-跃迁 | 7.5GHz |