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  • 型号: BF994S,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BF994S,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF994S,215价格参考。NXP SemiconductorsBF994S,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BF994S,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF994S,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B射频MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-连续漏极电流

0.03 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF994S,215-

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产品型号

BF994S,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-功率耗散

200 mW

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 6 V

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产品种类

射频MOSFET晶体管

产品类型

RF MOSFET Small Signal

供应商器件封装

SOT-143B

其它名称

568-1972-2
933754970215
BF994S T/R

功率-输出

-

功率耗散

200 mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

噪声系数

1dB

增益

25dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-253-4,TO-253AA

封装/箱体

SOT-143

工厂包装数量

3000

技术

MOSFET

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

N 通道双门

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

0.03 A

电压-测试

15V

电压-额定

20V

电流-测试

10mA

配置

Single Dual Gate

闸/源击穿电压

+/- 6 V

零件号别名

BF994S T/R

频率

200MHz

额定电流

30mA

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