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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B射频MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-连续漏极电流 | 0.03 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF994S,215- |
数据手册 | |
产品型号 | BF994S,215 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-功率耗散 | 200 mW |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 6 V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
产品类型 | RF MOSFET Small Signal |
供应商器件封装 | SOT-143B |
其它名称 | 568-1972-2 |
功率-输出 | - |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数 | 1dB |
增益 | 25dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-253-4,TO-253AA |
封装/箱体 | SOT-143 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | N 通道双门 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 0.03 A |
电压-测试 | 15V |
电压-额定 | 20V |
电流-测试 | 10mA |
配置 | Single Dual Gate |
闸/源击穿电压 | +/- 6 V |
零件号别名 | BF994S T/R |
频率 | 200MHz |
额定电流 | 30mA |