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Datasheet下载- 型号： BF721T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF721T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF721T1G价格参考。ON SemiconductorBF721T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 300V 50mA 60MHz 1.5W 表面贴装 SOT-223。您可以下载BF721T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF721T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF721T1G是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极晶体管（BJT），属于单个晶体管类型。该型号的晶体管具有特定的应用场景和优势，适用于多种电子电路设计。 1. 射频（RF）应用 BF721T1G广泛应用于射频领域，特别是在低噪声放大器（LNA）中表现优异。它的工作频率范围较广，能够支持高频信号的处理，适用于无线通信、雷达系统等需要高增益和低噪声特性的设备。其出色的射频性能使其成为高性能通信系统的理想选择。 2. 混频器和振荡器 在射频电路中，BF721T1G可以用于混频器和振荡器的设计。它的高增益和良好的线性度有助于提高信号的纯净度，减少失真。此外，BF721T1G的低噪声特性使得它在振荡器中能够提供稳定的频率输出，适用于时钟生成和其他精密频率控制应用。 3. 音频放大器 尽管BF721T1G主要用于射频领域，但它也可以用于音频放大器的设计。由于其低噪声和高增益特性，BF721T1G可以在前置放大器中发挥重要作用，提升音频信号的质量，减少背景噪音，确保音质的清晰度和保真度。 4. 开关应用 BF721T1G还可以用作开关元件，尤其是在需要快速切换的场合。它的开关速度较快，能够在高频下保持稳定的开关特性，适用于数字电路中的信号切换、脉冲调制等应用场景。 5. 传感器接口 在传感器接口电路中，BF721T1G可以作为信号调理元件，帮助放大传感器输出的微弱信号。它能够有效地提高信号的信噪比，确保后续处理电路接收到更清晰、更准确的信号。 总结 BF721T1G凭借其低噪声、高增益和宽频带特性，特别适合于射频、音频放大、混频器、振荡器以及开关应用等领域。它在各种高频和低噪声要求的电路中表现出色，是许多高性能电子设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SS PNP 300V 50MA SOT-223两极晶体管 - BJT 100mA 300V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BF721T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF721T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 800mV @ 5mA，30mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 25mA，20V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | BF721T1G-ND |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 60 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-4 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1.5 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 系列 | BF721 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.8 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 60MHz |
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