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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | JFET N-CH 30V 15MA SOT23射频JFET晶体管 N-Channel Single '+/- 30V 2mA |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-连续漏极电流 | 15 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors BF545B,215- |
数据手册 | |
产品型号 | BF545B,215 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-功率耗散 | 250 mW |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 2 mA |
产品 | RF JFET |
产品种类 | 射频JFET晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-6164-1 |
功率-输出 | - |
功率耗散 | 250 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数 | - |
增益 | - |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | JFET |
标准包装 | 1 |
漏源电压VDS | 30 V |
电压-测试 | - |
电压-额定 | 30V |
电流-测试 | - |
类型 | Silicon |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 30 V |
闸/源截止电压 | 2.2 V |
频率 | - |
额定电流 | 15mA |