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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1212,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1212,215价格参考。NXP SemiconductorsBF1212,215封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet N 通道双门 5V 12mA 400MHz 30dB SOT-143B。您可以下载BF1212,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF1212,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1212,215 是由 NXP USA Inc. 生产的射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)和 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。这类器件广泛应用于高频、射频信号处理领域,其主要应用场景包括: 1. 射频放大器 BF1212,215 常用于射频信号放大器中,适用于低噪声放大(LNA)和功率放大场景。其高频率特性和低噪声性能使其成为无线通信系统中的理想选择。 2. 无线通信设备 该型号晶体管可用于无线通信设备中的射频前端模块,例如对讲机、无线电收发器以及卫星通信设备。它支持高效的信号调制和解调功能。 3. 混频器与振荡器 在射频电路设计中,BF1212,215 可用作混频器的核心元件,实现频率转换。同时,它也可用于构建高性能的射频振荡器,生成稳定的载波信号。 4. 雷达系统 高频特性使 BF1212,215 适合应用于雷达系统的信号发射与接收部分,尤其是在需要快速响应和高灵敏度的场合。 5. 测试与测量设备 射频测试仪器(如频谱分析仪、信号发生器)中也常用此类晶体管来实现信号放大或频率转换功能。 6. 业余无线电爱好者项目 对于 DIY 爱好者,BF1212,215 是构建简易射频电路(如短波发射机或接收机)的理想选择,因其易于驱动且性能稳定。 总结来说,BF1212,215 的应用场景集中在射频信号处理领域,特别是在无线通信、雷达、测试测量等需要高频、低噪声特性的技术领域中发挥重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B射频MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 6V |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 0.03 A |
Id-连续漏极电流 | 0.03 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF1212,215- |
数据手册 | |
产品型号 | BF1212,215 |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 180 mW |
Pd-功率耗散 | 180 mW |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 6 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 6 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 6 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
产品类型 | RF MOSFET Small Signal |
供应商器件封装 | SOT-143B |
其它名称 | 568-1962-6 |
功率-输出 | - |
功率耗散 | 180 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数 | 0.9dB |
增益 | 30dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-253-4,TO-253AA |
封装/箱体 | SOT-4 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | MOSFET |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 6 V |
漏极连续电流 | 0.03 A |
电压-测试 | 5V |
电压-额定 | 6V |
电流-测试 | 12mA |
配置 | Single Dual Gate |
闸/源击穿电压 | 6 V |
零件号别名 | BF1212 |
频率 | 400MHz |
额定电流 | 30mA |