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Datasheet下载- 型号： BF1202WR,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1202WR,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1202WR,135价格参考。NXP SemiconductorsBF1202WR,135封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道双门 5V 12mA 400MHz 30.5dB CMPAK-4。您可以下载BF1202WR,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1202WR,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1202WR,135是由NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管。该型号主要应用于高频和射频领域，特别是在无线通信、射频放大器、射频开关等场景中表现出色。 应用场景： 1. 射频放大器：BF1202WR,135适用于各种射频放大器电路，尤其是在低噪声放大器（LNA）和功率放大器（PA）中。它具有较低的噪声系数和较高的增益，能够有效提升信号质量，减少噪声干扰，确保通信系统的稳定性和可靠性。 2. 射频开关：在射频前端模块中，BF1202WR,135可以用作射频开关，实现不同频率或信道之间的快速切换。其低导通电阻和高隔离度特性使得它在多频段、多模式的无线通信设备中具有广泛应用。 3. 无线通信设备：该器件广泛应用于各种无线通信设备中，如蜂窝基站、Wi-Fi路由器、蓝牙模块、卫星通信系统等。它可以处理高频信号，并且能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能，适应不同的环境需求。 4. 雷达系统：在雷达应用中，BF1202WR,135可以用于发射和接收链路中的射频放大和开关功能。其高线性度和低失真特性有助于提高雷达系统的分辨率和探测精度。 5. 测试与测量设备：在射频测试仪器中，BF1202WR,135可用于信号源、频谱分析仪等设备中，提供稳定的射频信号输出和精确的信号处理能力。 特点： - 高频性能：BF1202WR,135支持高达GHz级别的工作频率，适用于现代无线通信系统中的高频段应用。 - 低噪声系数：在低噪声放大器中表现优异，能够有效降低噪声底噪，提升接收灵敏度。 - 高线性度：在大信号条件下仍能保持良好的线性度，减少信号失真，确保通信质量。 - 低功耗：在保证高性能的同时，具有较低的静态功耗，适合对功耗要求严格的便携式设备。 总之，BF1202WR,135是一款专为射频应用设计的高性能MOSFET晶体管，适用于多种无线通信和射频设备，能够在高频段提供稳定的性能和卓越的信号处理能力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1202WR,135 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 934055958135 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.9dB |
| 增益 | 30.5dB |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 10V |
| 电流-测试 | 12mA |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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