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Datasheet下载- 型号： BF1105R,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1105R,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1105R,215价格参考。NXP SemiconductorsBF1105R,215封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道双门 5V 800MHz 20dB SOT-143R。您可以下载BF1105R,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1105R,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的 BF1105R,215 是一款射频 (RF) MOSFET 晶体管，主要用于高频和射频应用领域。以下是其主要应用场景： 1. 射频放大器 BF1105R,215 在射频放大器中表现优异，特别是在低噪声放大器 (LNA) 和功率放大器 (PA) 中。它能够在高频段（如 UHF、VHF 等）提供稳定的增益和低噪声性能，适用于无线通信设备、卫星通信系统以及雷达系统中的信号放大。 2. 射频开关 该晶体管还广泛应用于射频开关电路中，尤其是在需要快速切换和低插入损耗的应用中。它可以用于手机、Wi-Fi 设备、蓝牙模块等无线通信设备中的天线开关，确保信号在不同频率或模式之间的高效切换。 3. 混频器和调制解调器 BF1105R,215 可以用作混频器的核心元件，帮助实现频率转换功能。它能够处理复杂的调制信号，适用于调制解调器、收发器等设备，确保信号的准确传输和接收。 4. 无线通信设备 在各种无线通信设备中，如对讲机、无线传感器网络、物联网 (IoT) 设备等，BF1105R,215 提供了可靠的射频性能，支持高效的数据传输和信号处理。 5. 军事和航空航天 由于其出色的射频性能和可靠性，BF1105R,215 也被广泛应用于军事通信系统、航空电子设备和卫星通信中，确保在极端环境下的稳定运行。 6. 测试与测量设备 在射频测试仪器中，如频谱分析仪、信号发生器等，BF1105R,215 能够提供精确的信号处理能力，帮助工程师进行高精度的射频测试和测量。 总结 BF1105R,215 射频 MOSFET 晶体管凭借其卓越的高频性能、低噪声特性和高可靠性，广泛应用于射频放大器、射频开关、混频器、无线通信设备、军事和航空航天领域以及测试与测量设备中。它为这些应用提供了高效的射频信号处理能力，确保系统的稳定性和高性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 7V 30MA SOT-143R射频MOSFET晶体管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab) |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 mA |
| Id-连续漏极电流 | 30 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF1105R,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF1105R,215 |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 7 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 7 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 7 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 7 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.8 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-143R |
| 其它名称 | 934050330215 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | 1.7dB |
| 增益 | 20dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-143R |
| 封装/箱体 | SC-61B |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | Dual N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 7 V |
| 漏极连续电流 | 30 mA |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 7V |
| 电流-测试 | - |
| 配置 | Single Dual Gate |
| 闸/源击穿电压 | 7 V |
| 频率 | 800MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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