Datasheet下载- 型号： BF1105,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1105,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1105,215价格参考。NXP SemiconductorsBF1105,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1105,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1105,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143射频MOSFET晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 mA |
| Id-连续漏极电流 | 30 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF1105,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF1105,215 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 7 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 7 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 7 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 7 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.8 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | N-Channel Dual-Gate MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-143B |
| 其它名称 | 568-6145-6 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | 1.7dB |
| 增益 | 38 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 封装/箱体 | SOT-143R |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | Dual N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 7 V |
| 漏极连续电流 | 30 mA |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 7V |
| 电流-测试 | - |
| 类型 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 7 V |
| 频率 | 1 GHz |
| 额定电流 | 30mA |
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