【未分类_BF1100WR,115】封装/厂家_BF1100WR,115中文资料_价格

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型号： BF1100WR,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BF1100WR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1100WR,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1100WR,115封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BF1100WR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1100WR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BF1100WR,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET 类型。其主要应用场景集中在射频和无线通信领域，以下是其典型应用：

1. 射频放大器：  
   BF1100WR,115 适用于设计高性能的射频功率放大器。它能够在高频段（如 VHF 和 UHF 频段）提供高增益和低噪声性能，适合用于广播、对讲机和其他无线通信设备。

2. 无线通信设备：  
   该器件可用于各种无线通信系统中，例如无线电发射机、接收机以及双向无线电设备。其出色的射频性能使其能够处理复杂的信号调制和解调任务。

3. 移动通信基站：  
   在移动通信基础设施中，BF1100WR,115 可用作基站射频前端的一部分，提供高效的信号放大功能，支持稳定的通信链路。

4. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域：  
   该型号也适用于 ISM 频段的应用，例如无线传感器网络、射频识别 (RFID) 系统和医疗设备中的无线通信模块。

5. 业余无线电爱好者项目：  
   对于业余无线电爱好者来说，BF1100WR,115 是构建自制射频设备的理想选择，例如短波电台或实验性通信装置。

6. 卫星通信：  
   在卫星地面站或小型卫星通信设备中，该器件可用于实现高效的数据传输和信号处理。

综上所述，BF1100WR,115 主要应用于需要高频率、低噪声和高效率的射频场景，广泛服务于通信、工业和科研领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BF1100WR,115
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CMPAK-4
其它名称	934036570115 BF1100WR T/R BF1100WR T/R-ND
功率-输出	-
包装	带卷（TR）
噪声系数	2dB
增益	-
封装/外壳	SC-82A，SOT-343
晶体管类型	N 通道双门
标准包装	3,000
电压-测试	9V
电压-额定	14V
电流-测试	10mA
频率	800MHz
额定电流	30mA