【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_BD536】封装/厂家_BD536中文资料_价格

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型号： BD536
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BD536产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BD536由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD536价格参考￥3.49-￥3.83。STMicroelectronicsBD536封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 8A 50W 通孔 TO-220AB。您可以下载BD536参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BD536 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR POWER PNP TO-220两极晶体管 - BJT NPN Medium Power
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	STMicroelectronics
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics BD536-
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产品型号	BD536
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	800mV @ 600mA，6A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	25 @ 2A，2V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	497-7173-5 BD536-ND
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF75050?referrer=70071840
功率-最大值	50W
包装	管件
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	STMicroelectronics
增益带宽产品fT	12 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	50 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	8 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	50
电压-集射极击穿（最大值）	60V
电流-集电极(Ic)（最大值）	8A
电流-集电极截止（最大值）	100µA
直流电流增益hFE最大值	40
直流集电极/BaseGainhfeMin	20
系列	BD536
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	60 V
集电极—基极电压VCBO	60 V
集电极—射极饱和电压	0.8 V
集电极连续电流	8 A
频率-跃迁	-