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  • 型号: BD439
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BD439由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD439价格参考。ON SemiconductorBD439封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BD439参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BD439 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BD439 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型双极性晶体管(BJT),属于大功率晶体管,广泛应用于开关和放大电路中。以下是 BD439 的主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS)  
   BD439 适用于开关电源中的驱动级或输出级电路。它能够承受较高的电流和电压,适合用作开关元件,控制电路的通断。

2. 电机驱动  
   在小型直流电机或步进电机驱动电路中,BD439 可以作为驱动晶体管,用于控制电机的启动、停止和速度调节。

3. 音频功率放大器  
   BD439 常用于音频功率放大器的输出级,提供足够的电流驱动扬声器,实现高质量的声音输出。

4. 继电器驱动  
   在需要驱动电磁继电器的电路中,BD439 可以用作驱动晶体管,将微控制器或其他低功率信号转换为高电流信号以激活继电器。

5. LED 驱动  
   对于高亮度 LED 或 LED 灯条的应用,BD439 可以用来控制 LED 的亮度或实现开关功能。

6. 负载切换  
   BD439 能够处理较大的负载电流,因此适合用作负载切换电路中的开关元件,例如控制加热元件或照明设备的通断。

7. 信号放大  
   在一些模拟电路中,BD439 可以用作信号放大器,将微弱的输入信号放大到更高的电平。

8. 保护电路  
   BD439 可用于过流保护或短路保护电路中,通过检测异常电流并切断负载来保护系统。

BD439 的主要参数支持其在上述场景中的应用:  
- 集电极-发射极击穿电压(VCEO):80V  
- 集电极最大电流(IC):3A  
- 功率耗散(Ptot):62.5W(在散热条件下)  

这些特性使其非常适合需要中高功率处理能力的电子设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 60V 4A BIPO TO-225AA

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

BD439

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

800mV @ 300mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 500mA,1V

供应商器件封装

TO-225AA

功率-最大值

36W

包装

散装

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-225AA,TO-126-3

晶体管类型

NPN

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

3MHz

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