【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_BD436S】封装/厂家_BD436S中文资料_价格

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型号： BD436S
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BD436S产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BD436S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD436S价格参考。Fairchild SemiconductorBD436S封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 32V 4A 3MHz 36W 通孔 TO-126。您可以下载BD436S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BD436S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor BD436S-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BD436S
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 200mA，2A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	40 @ 10mA，5V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-126
功率-最大值	36W
包装	散装
单位重量	761 mg
发射极-基极电压VEBO	- 5 V
商标	Fairchild Semiconductor
增益带宽产品fT	3 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	TO-225AA，TO-126-3
封装/箱体	TO-126
工厂包装数量	250
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	36 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	4 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	250
电压-集射极击穿（最大值）	32V
电流-集电极(Ic)（最大值）	4A
电流-集电极截止（最大值）	100µA
直流集电极/BaseGainhfeMin	40
系列	BD436
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	32 V
集电极—基极电压VCBO	- 32 V
集电极连续电流	- 4 A
零件号别名	BD436S_NL
频率-跃迁	3MHz