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型号： BD435STU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BD435STU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD435STU价格参考。Fairchild SemiconductorBD435STU封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 NPN 32V 4A 3MHz 36W 通孔 TO-126。您可以下载BD435STU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BD435STU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BD435STU是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极晶体管（BJT），属于单个晶体管类型。它具有NPN结构，广泛应用于各种电子电路中，特别是在功率放大、开关控制和信号调节等场景。

 主要应用场景：
1. 电源管理：
   - BD435STU常用于线性稳压器和开关电源中的驱动级或输出级，能够有效处理较大的电流和电压波动，确保电源系统的稳定性和可靠性。
   
2. 电机驱动：
   - 在小型电机控制系统中，该晶体管可以作为驱动元件，用于控制电机的启动、停止和调速。其低饱和电压和高电流承载能力使其适合驱动直流电机或步进电机。

3. 音频放大器：
   - 该晶体管可用于音频放大器的前置放大级或功率输出级，提供足够的增益和驱动能力，确保音频信号的高质量传输和放大。

4. 继电器控制：
   - BD435STU可以用来驱动继电器线圈，实现对大功率负载的开关控制。其较高的电流容量和快速响应特性，使得它在工业自动化和家用电器中得到广泛应用。

5. 信号调理：
   - 在传感器信号调理电路中，BD435STU可以用作信号放大和隔离元件，帮助提高信号的信噪比和抗干扰能力。

6. 保护电路：
   - 在过流保护、短路保护等电路中，BD435STU可以通过检测电流的变化来触发保护机制，防止电路因过载而损坏。

7. 通信设备：
   - 在某些通信设备中，如无线发射模块或有线通信接口，BD435STU可以用于信号的调制和解调，以及功率放大。

总之，BD435STU凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于多种需要高性能、高可靠性的电子应用领域，特别是在功率处理和信号处理方面表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR NPN 32V 4A TO-126两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor BD435STU-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BD435STU
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 200mA，2A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	40 @ 10mA，5V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-126
功率-最大值	36W
包装	管件
单位重量	761 mg
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	Fairchild Semiconductor
增益带宽产品fT	3 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-225AA，TO-126-3
封装/箱体	TO-126
工厂包装数量	60
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	36 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	4 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	60
电压-集射极击穿（最大值）	32V
电流-集电极(Ic)（最大值）	4A
电流-集电极截止（最大值）	100µA
直流集电极/BaseGainhfeMin	40
系列	BD435
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	32 V
集电极—基极电压VCBO	32 V
集电极—射极饱和电压	0.2 V
集电极连续电流	4 A
零件号别名	BD435STU_NL
频率-跃迁	3MHz