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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 80V 2A TO-126两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor BD237STU- |
数据手册 | |
产品型号 | BD237STU |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 25 @ 1A,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-126 |
其它名称 | BD237STU-ND |
功率-最大值 | 25W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 761 mg |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 3 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
封装/箱体 | TO-126 |
工厂包装数量 | 60 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 25 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 60 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
系列 | BD237 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 100 V |
集电极连续电流 | 2 A |
零件号别名 | BD237STU_NL |
频率-跃迁 | 3MHz |