【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_BD180G】封装/厂家_BD180G中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BD180G

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： BD180G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

BD180G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BD180G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD180G价格参考￥1.68-￥2.12。ON SemiconductorBD180G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 1A 3MHz 30W 通孔 TO-225AA。您可以下载BD180G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BD180G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PNP 80V 1A TO225两极晶体管 - BJT 3A 80V 30W PNP
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BD180G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BD180G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	800mV @ 100mA，1A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	40 @ 150mA，2V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-225AA
其它名称	BD180G-ND BD180GOS
功率-最大值	30W
包装	散装
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	3 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	TO-225AA，TO-126-3
封装/箱体	TO-225-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	30 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	1 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	500
电压-集射极击穿（最大值）	80V
电流-集电极(Ic)（最大值）	1A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流集电极/BaseGainhfeMin	15
系列	BD180
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	80 V
集电极—基极电压VCBO	80 V
集电极—射极饱和电压	0.8 V
集电极连续电流	1 A
频率-跃迁	3MHz