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  • 型号: BD159G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BD159G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD159G价格参考。ON SemiconductorBD159G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BD159G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BD159G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 350V 0.5A BIPO TO-225两极晶体管 - BJT 0.5A 350V 20W NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BD159G-

数据手册

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产品型号

BD159G

PCN组件/产地

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 50mA,10V

产品种类

Transistors Bipolar- General Purpose

供应商器件封装

TO-225AA

其它名称

BD159G-ND
BD159GOS

功率-最大值

20W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

SMD/SMT

封装

Bulk

封装/外壳

TO-225AA,TO-126-3

封装/箱体

TSSOP-24

工厂包装数量

500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

20 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

350V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

系列

BD159

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

350 V

集电极—基极电压VCBO

375 V

集电极连续电流

0.5 A

频率-跃迁

-

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