ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BCX71HT216
Datasheet下载- 型号： BCX71HT216
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BCX71HT216由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCX71HT216价格参考。ROHM SemiconductorBCX71HT216封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 45V 200mA 180MHz 350mW 表面贴装 SST3。您可以下载BCX71HT216参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BCX71HT216 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BCX71HT216是由Rohm Semiconductor生产的单晶体管 - 双极 (BJT)，具有广泛的应用场景，尤其适合用于低噪声和高增益的电路设计中。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器 BCX71HT216因其低噪声特性和高增益，非常适合用于音频放大器中的前置放大级。它可以有效地放大微弱的音频信号，同时保持较低的噪声水平，确保输出的音频信号清晰、干净。这种特性使得它在便携式音频设备、耳机放大器和其他高保真音频应用中表现出色。 2. 模拟信号处理 该晶体管可以用于各种模拟信号处理电路，如滤波器、混频器和调制解调器等。它的高增益和稳定的性能使其能够在这些电路中提供可靠的信号放大和处理功能，适用于通信设备、传感器接口和其他需要精确信号处理的场合。 3. 开关电源和稳压电路 尽管BCX71HT216主要用于线性放大应用，但它也可以在某些低功耗的开关电源和稳压电路中作为控制元件使用。通过调节基极电流，可以控制集电极电流，从而实现对负载电流的精确控制。这使得它在一些小型电源管理电路中有一定的应用价值。 4. 传感器信号调理 BCX71HT216的高增益特性使其非常适合用于传感器信号调理电路。例如，在温度传感器、压力传感器或其他微弱信号输出的传感器中，BCX71HT216可以将传感器输出的微弱信号放大到可被后续电路处理的水平，同时保持较低的噪声干扰。 5. 无线通信设备 在一些低功耗的无线通信设备中，BCX71HT216可以用于射频前端的信号放大和处理。它的低噪声特性和高增益有助于提高接收机的灵敏度，确保接收到的信号质量更高，尤其是在短距离无线通信系统中。 6. 消费电子设备 BCX71HT216还广泛应用于各种消费电子设备中，如遥控器、玩具、智能家居设备等。这些设备通常需要低功耗、低成本且可靠的晶体管来处理信号或驱动小功率负载，BCX71HT216正好满足这些需求。 总的来说，BCX71HT216是一款性能优良的双极晶体管，适用于多种低噪声、高增益的电路设计，特别是在音频、通信、传感器信号调理等领域表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 45V SST3两极晶体管 - BJT TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor BCX71HT216- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BCX71HT216 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 550mV @ 1.25mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 140 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SST3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SMT-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 0.35 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 310 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 140 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 45 V |
| 集电极—射极饱和电压 | -0.25 V |
| 集电极连续电流 | - 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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