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  • 型号: BCW61CT116
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BCW61CT116由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCW61CT116价格参考。ROHM SemiconductorBCW61CT116封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BCW61CT116参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCW61CT116 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP 32V 200MA SST3 TR两极晶体管 - BJT PNP 32V 200MA

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor BCW61CT116-

数据手册

产品型号

BCW61CT116

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

250 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SST3

功率-最大值

-

包装

带卷 (TR)

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

180 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

0.2 W

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

32V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

460

直流集电极/BaseGainhfeMin

250

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

32 V

集电极连续电流

200 mA

频率-跃迁

180MHz

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