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  • 型号: BCW32LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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BCW32LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BCW32LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCW32LT1G价格参考。ON SemiconductorBCW32LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 32V 100mA 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载BCW32LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCW32LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BCW32LT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号主要应用于低功率电路设计中,适用于多种电子设备和场景。以下是其常见的应用场景:

1. 开关电路:  
   BCW32LT1G 可用作开关元件,在数字电路或控制电路中实现信号的开启与关闭功能。例如,继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等。

2. 信号放大:  
   作为一款 BJT 晶体管,它能够对微弱信号进行放大,适用于音频前置放大器、传感器信号调理电路或其他需要低噪声放大的场合。

3. 电源管理:  
   在一些简单的稳压电路或电流限制电路中,BCW32LT1G 可以协助调节输出电压或电流,确保负载获得稳定的电源供应。

4. 通信设备:  
   由于其高频特性,BCW32LT1G 可用于射频(RF)模块中的小信号处理,如调制解调器、无线发射接收器中的低功率级放大。

5. 消费类电子产品:  
   包括遥控器、玩具、家用电器等产品中的控制单元或驱动电路,利用其小巧封装和高效性能。

6. 工业控制:  
   在自动化控制系统中,该晶体管可用于检测信号的放大或隔离电路的设计,帮助提高系统的可靠性和精确度。

7. 汽车电子:  
   尽管 BCW32LT1G 的功率相对较小,但在某些非关键性车载应用中(如指示灯控制、仪表盘显示等),它依然可以发挥作用。

总结来说,BCW32LT1G 凭借其优异的电气参数和紧凑的 SOT-23 封装形式,广泛适用于需要高性能、小体积解决方案的各种领域。在实际使用时,应根据具体需求选择合适的偏置条件及外围元件搭配,以充分发挥其优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN GP 32V 100MA SOT-23两极晶体管 - BJT 100mA 32V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BCW32LT1G-

数据手册

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产品型号

BCW32LT1G

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

BCW32LT1GOSCT

功率-最大值

225mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

225 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

32V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

系列

BCW32L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

32 V

集电极—基极电压VCBO

32 V

集电极—射极饱和电压

0.25 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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