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BCW32LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BCW32LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCW32LT1G价格参考。ON SemiconductorBCW32LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 32V 100mA 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载BCW32LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCW32LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BCW32LT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号主要应用于低功率电路设计中,适用于多种电子设备和场景。以下是其常见的应用场景: 1. 开关电路: BCW32LT1G 可用作开关元件,在数字电路或控制电路中实现信号的开启与关闭功能。例如,继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等。 2. 信号放大: 作为一款 BJT 晶体管,它能够对微弱信号进行放大,适用于音频前置放大器、传感器信号调理电路或其他需要低噪声放大的场合。 3. 电源管理: 在一些简单的稳压电路或电流限制电路中,BCW32LT1G 可以协助调节输出电压或电流,确保负载获得稳定的电源供应。 4. 通信设备: 由于其高频特性,BCW32LT1G 可用于射频(RF)模块中的小信号处理,如调制解调器、无线发射接收器中的低功率级放大。 5. 消费类电子产品: 包括遥控器、玩具、家用电器等产品中的控制单元或驱动电路,利用其小巧封装和高效性能。 6. 工业控制: 在自动化控制系统中,该晶体管可用于检测信号的放大或隔离电路的设计,帮助提高系统的可靠性和精确度。 7. 汽车电子: 尽管 BCW32LT1G 的功率相对较小,但在某些非关键性车载应用中(如指示灯控制、仪表盘显示等),它依然可以发挥作用。 总结来说,BCW32LT1G 凭借其优异的电气参数和紧凑的 SOT-23 封装形式,广泛适用于需要高性能、小体积解决方案的各种领域。在实际使用时,应根据具体需求选择合适的偏置条件及外围元件搭配,以充分发挥其优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN GP 32V 100MA SOT-23两极晶体管 - BJT 100mA 32V NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BCW32LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | BCW32LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | BCW32LT1GOSCT |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 225 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 32V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
系列 | BCW32L |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 32 V |
集电极—基极电压VCBO | 32 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |