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  • 型号: BCR 185W H6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BCR 185W H6327产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3开关晶体管 - 偏压电阻器 AF DIGITAL TRANSISTOR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Infineon Technologies BCR 185W H6327-

数据手册

https://www.infineon.com/dgdl/bcr185series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114403af22402d4

产品型号

BCR 185W H6327

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

70 @ 5mA,5V

产品种类

General Purpose Transistors

供应商器件封装

PG-SOT323-3

其它名称

BCR 185W H6327-ND
BCR185WH6327
BCR185WH6327XTSA1
SP000757894

典型电阻器比率

0.21

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

250mW

功率耗散

250 mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

50 V

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 预偏压

最大直流电集电极电流

100 mA

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

70

系列

BCR185

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

100 mA

零件号别名

BCR185WH6327XTSA1 SP000757894

频率-跃迁

200MHz

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