ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > BCR 116S H6727
Datasheet下载- 型号： BCR 116S H6727
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BCR 116S H6727由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCR 116S H6727价格参考。InfineonBCR 116S H6727封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6。您可以下载BCR 116S H6727参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BCR 116S H6727 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
英飞凌科技（Infineon Technologies）的BCR116S H6727是一款预偏置双极晶体管（BJT）阵列，广泛应用于需要高性能、可靠性和紧凑设计的电子设备中。这款器件的主要应用场景包括但不限于以下几类： 1. 电源管理 BCR116S H6727常用于电源管理系统中，特别是在需要精确控制电流和电压的应用中。例如，在开关电源（SMPS）、线性稳压器、电池充电器等设备中，该晶体管可以提供稳定的电流输出，确保系统的稳定运行。其预偏置特性使得它在启动和关断过程中能够快速响应，减少瞬态电压波动。 2. 电机驱动与控制 在电机驱动电路中，BCR116S H6727可以作为驱动信号的放大元件，帮助实现对电机转速和方向的精确控制。由于其低饱和电压和高电流增益，这款晶体管能够在高频工作条件下保持高效性能，适用于步进电机、直流电机等小型电机的驱动应用。 3. 音频放大器 在音频设备中，如耳机放大器、音响系统等，BCR116S H6727可以用于信号放大部分，提供高质量的音频输出。其预偏置设计有助于减少失真，提升音质表现，尤其适合对音质要求较高的专业音频设备。 4. 工业自动化 在工业自动化领域，BCR116S H6727可用于传感器信号处理、继电器驱动、PLC（可编程逻辑控制器）输入输出接口等场景。其高可靠性、抗干扰能力强的特点，使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作，确保自动化系统的正常运行。 5. 消费电子产品 在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能家居设备等，BCR116S H6727可以用于背光驱动、触摸屏控制、LED驱动等电路中。其小封装尺寸和低功耗特性，使其非常适合用于对空间和能效有严格要求的便携式设备。 总结 BCR116S H6727凭借其预偏置设计、低饱和电压、高电流增益等优点，广泛应用于电源管理、电机驱动、音频放大、工业自动化和消费电子产品等多个领域。其紧凑的设计和高性能使其成为许多电子设备中的关键组件，确保了系统的高效、稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | https://www.infineon.com/dgdl/bcr116series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f60ae880285 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BCR 116S H6727 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 其它名称 | SP000752048 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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