ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BCP56T1G
Datasheet下载- 型号： BCP56T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BCP56T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCP56T1G价格参考￥0.36-￥0.36。ON SemiconductorBCP56T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 1A 130MHz 1.5W 表面贴装 SOT-223。您可以下载BCP56T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BCP56T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的BCP56T1G是一款双极晶体管（BJT），属于单晶体管类型，广泛应用于各种电子电路中。其主要应用场景包括但不限于以下几种： 1. 开关应用：BCP56T1G常用于开关电路中，如继电器驱动、LED驱动等。它能够在低功耗状态下实现高效的开关功能，适用于需要快速响应和高可靠性的场合。 2. 信号放大：该晶体管可以用于音频放大器、射频（RF）放大器等信号放大的应用场景。其低噪声特性和稳定的增益使其成为高性能放大电路的理想选择。 3. 电源管理：在电源管理系统中，BCP56T1G可用于电压调节器、电流检测等环节。它能够帮助提高电源转换效率，减少能量损耗，确保系统的稳定运行。 4. 电机控制：在小型电机控制领域，BCP56T1G可以作为驱动元件，用于控制电机的启动、停止和调速。其良好的电流承载能力和耐热性能使其适合长时间工作的电机控制系统。 5. 保护电路：该晶体管还可以用于过流保护、短路保护等安全电路设计中。通过检测异常电流并迅速切断电路，BCP56T1G有助于防止设备损坏，提升系统的安全性。 6. 通信设备：在无线通信模块、蓝牙模块等通信设备中，BCP56T1G可用于信号处理和功率放大，确保数据传输的稳定性和可靠性。 7. 消费电子：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，BCP56T1G可用于多种内部电路的设计，如充电管理、传感器接口等，提供高效且可靠的性能支持。 总之，BCP56T1G凭借其优异的电气特性，在众多电子应用中发挥着重要作用，特别适合对性能和可靠性有较高要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 80V 1A SOT223两极晶体管 - BJT 1A 100V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BCP56T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BCP56T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 150mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | BCP56T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-4 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
| 系列 | BCP56 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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