ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BCP56,115
Datasheet下载- 型号： BCP56,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BCP56,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCP56,115价格参考。NXP SemiconductorsBCP56,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 1A 180MHz 960mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载BCP56,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BCP56,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BCP56,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。这类器件广泛应用于各种电子电路中，主要用于信号放大和开关功能。以下是 BCP56,115 的一些典型应用场景： 1. 开关应用 - 电源管理：在直流-直流转换器、线性稳压器等电源管理系统中，BCP56,115 可用作开关元件，控制电流的通断。 - 继电器驱动：用于驱动小型继电器或电磁阀，通过控制电流来激活或关闭设备。 - LED 驱动：在 LED 照明系统中，该晶体管可以用作开关，调节 LED 的亮度或实现开/关功能。 2. 信号放大 - 音频放大器：在低功率音频放大器中，BCP56,115 可用于放大弱电信号，例如麦克风输入信号。 - 传感器信号放大：用于放大来自温度传感器、压力传感器或其他低电平信号源的输出信号。 3. 保护电路 - 过流保护：在某些电路中，该晶体管可以设计为过流保护元件，当电流超过设定值时切断电路。 - 负载保护：在电机驱动或电池充电电路中，用作保护元件，防止过载或短路。 4. 通信与控制 - 调制解调：在低频通信系统中，可用于信号调制或解调。 - 脉宽调制 (PWM)：在 PWM 控制电路中，作为开关元件调节输出电压或电流。 5. 其他应用 - 定时电路：与电容和电阻配合使用，构建简单的定时电路。 - 逻辑电平转换：在不同电压逻辑电平之间进行转换，例如将低电压信号转换为高电压信号。 BCP56,115 具有良好的电流增益和耐压能力，适用于中小功率场景。具体应用时需根据其电气参数（如集电极最大电流、集电极-发射极击穿电压等）选择合适的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN MED 1A 80V SOT223两极晶体管 - BJT NPN MED 1A 80V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BCP56,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BCP56,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 63 @ 150mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-1639-2 |
| 功率-最大值 | 960mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 960 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 63 at 5 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500 mA at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 零件号别名 | BCP56 T/R |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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