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  • 型号: BCP55,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BCP55,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCP55,135价格参考。NXP SemiconductorsBCP55,135封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 1A 180MHz 1.35W 表面贴装 SOT-223。您可以下载BCP55,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCP55,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 BCP55 和 BCP135 是双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。这些器件广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高效、稳定和可靠的开关或放大功能的场景中。以下是它们的主要应用场景:

 1. 电源管理
BCP55 和 BCP135 常用于电源管理系统中,如线性稳压器、开关电源等。它们可以作为开关元件,控制电流的通断,或者用于电压调节电路中,确保输出电压的稳定性。在低功耗应用中,这些晶体管能够提供高效的电流控制,减少能量损耗。

 2. 信号放大
在音频设备、通信系统和其他需要信号放大的场合,BCP55 和 BCP135 可以用作放大器的核心元件。它们能够在小信号放大和功率放大之间找到平衡,确保信号不失真且具有足够的增益。例如,在收音机、对讲机等设备中,这些晶体管可以用来放大微弱的射频信号,提升接收质量。

 3. 电机驱动
在小型电机驱动应用中,如玩具、家用电器中的直流电机控制,BCP55 和 BCP135 可以作为驱动级元件。它们能够承受一定的电流负载,并且响应速度快,适合用于PWM(脉宽调制)控制,实现电机的速度和方向控制。

 4. 逻辑电平转换
在不同电压系统的接口设计中,BCP55 和 BCP135 可以用于逻辑电平转换。例如,在将低电压信号(如3.3V)转换为高电压信号(如5V)时,这些晶体管可以起到桥梁作用,确保信号的完整性和准确性。

 5. 保护电路
这些晶体管还可以用于过流保护、短路保护等安全电路中。通过检测异常电流,晶体管可以迅速切断电路,防止损坏其他关键元件。例如,在电池管理系统中,BCP55 和 BCP135 可以监控充电电流,防止过充或过放。

 6. 温度传感器
在一些温度检测电路中,BCP55 和 BCP135 可以作为温度敏感元件使用。由于其基极-发射极电压随温度变化而变化,因此可以通过测量该电压来间接获取温度信息,适用于简单的温度监测应用。

总的来说,BCP55 和 BCP135 晶体管凭借其可靠性和灵活性,广泛应用于多种电子设备中,尤其适合需要高效电流控制和信号处理的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT223两极晶体管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BCP55,135-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BCP55,135

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

63 @ 150mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-73

其它名称

933917210135
BCP55 /T3
BCP55 /T3-ND

功率-最大值

1.35W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

180 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223

工厂包装数量

4000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

960 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

63 at 5 mA at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500 mA at 2 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

零件号别名

/T3 BCP55

频率-跃迁

180MHz

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