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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP AF 80V SOT-223两极晶体管 - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Infineon Technologies BCP 53-16 E6327- |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9 |
产品型号 | BCP 53-16 E6327 |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
其它名称 | BCP 53-16 E6327-ND |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Infineon Technologies |
增益带宽产品fT | 125 MHz (Typ) |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-4 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 2000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
系列 | BCP53 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 100 V |
集电极连续电流 | 1 A |
零件号别名 | BCP5316E6327HTSA1 SP000010698 |
频率-跃迁 | 125MHz |