ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > BCM857DS,115
Datasheet下载- 型号： BCM857DS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BCM857DS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCM857DS,115价格参考￥0.48-￥0.65。NXP SemiconductorsBCM857DS,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 45V 100mA 175MHz 380mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载BCM857DS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BCM857DS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BCM857DS,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极性晶体管（BJT）阵列。该型号属于低电压、小信号晶体管，适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - BCM857DS,115 可用于音频和射频信号的放大。由于其低噪声特性和高增益性能，适合在音频设备（如耳机放大器、麦克风前置放大器）中作为信号放大元件。 - 在无线通信领域，可用于射频信号的小幅度增强。 2. 开关应用 - 该晶体管阵列可以作为电子开关使用，适用于数字逻辑电路中的信号切换。例如，在微控制器外围电路中控制LED、继电器或小型电机。 - 在多路复用器或多路分解器中，可以用作通道选择开关。 3. 混频与调制 - 在射频和中频电路中，BCM857DS,115 可用于混频器设计，实现频率转换功能。 - 它还可以用于振幅调制（AM）、频率调制（FM）等信号处理任务。 4. 传感器接口 - 该型号可作为传感器信号的前置放大器，将微弱的模拟信号放大到后续处理电路所需的电平范围。 - 例如，在温度传感器、压力传感器或光电二极管的应用中提供信号增强。 5. 电源管理 - 虽然 BCM857DS,115 不适合大功率应用，但它可以在低功耗系统中用作简单的电流调节器或限流保护元件。 - 在锂电池保护电路中，可以用来检测过流或短路情况并触发保护机制。 6. 测试与测量设备 - 在精密测试仪器中，该晶体管可用作缓冲放大器或阻抗匹配元件，确保信号完整性。 总结 BCM857DS,115 的主要特点是低电压操作、高增益以及紧凑型封装设计，使其非常适合需要小型化和高效能的消费类电子产品、通信设备及工业控制系统。具体应用时需根据实际电路需求选择合适的偏置条件和外围元件配置，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 45V 100MA 6TSOP两极晶体管 - BJT TRANS MATCHED PAIR TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BCM857DS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BCM857DS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-6101-2 |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SOT-457 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双）配对 |
| 最大功率耗散 | 380 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | BCM857DS T/R |
| 频率-跃迁 | 175MHz |
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