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  • 型号: BCM857BV,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BCM857BV,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCM857BV,115价格参考¥0.56-¥0.56。NXP SemiconductorsBCM857BV,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 45V 100mA 175MHz 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载BCM857BV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCM857BV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc.生产的BCM857BV,115是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,其应用场景广泛且多样化。该型号的双极晶体管阵列因其高可靠性、低功耗和高效能而在多个领域中表现出色。

 1. 消费电子
在消费电子产品中,BCM857BV,115常用于音频放大器、电源管理模块等。例如,在便携式音响设备中,它能够提供稳定的电流输出,确保音频信号的清晰传输。此外,它还可以用于手机和平板电脑中的电源调节电路,帮助延长电池寿命并提高设备的整体性能。

 2. 工业控制
在工业自动化和控制系统中,BCM857BV,115可以作为驱动器或开关元件,用于控制电机、继电器和其他执行机构。它的高耐压和大电流特性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作,适用于工厂自动化、机器人控制等领域。

 3. 汽车电子
 BCM857BV,115在汽车电子系统中也有广泛应用。它可以用于车灯控制、雨刷电机驱动、座椅加热等功能模块。由于其出色的温度特性和抗干扰能力,这款晶体管阵列能够在车辆运行过程中保持稳定性能,确保驾驶安全。

 4. 通信设备
在通信设备中,BCM857BV,115可用于信号放大、滤波和调制解调电路。例如,在基站和无线路由器中,它能够有效处理高频信号,保证数据传输的稳定性和可靠性。此外,它还可以用于手持终端设备中的射频前端模块,提升信号质量和通信距离。

 5. 医疗设备
在医疗设备领域,BCM857BV,115可以用于心电图机、血压计等仪器的电源管理和信号处理部分。其低噪声和高精度特性有助于提高测量结果的准确性,为医生提供更可靠的诊断依据。

总之,BCM857BV,115凭借其优异的电气性能和广泛的适用性,成为众多电子产品中不可或缺的关键组件。无论是消费级产品还是专业级应用,它都能提供稳定可靠的支持。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL PNP 45V 100MA SOT666两极晶体管 - BJT Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 6-Pin

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BCM857BV,115-

数据手册

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产品型号

BCM857BV,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

568-6930-6

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

175 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-666

工厂包装数量

4000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 PNP(双)配对

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 200 mA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

450

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

- 45 V

集电极—基极电压VCBO

- 50 V

集电极连续电流

- 100 mA

频率-跃迁

175MHz

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