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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BCM857BV,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCM857BV,115价格参考¥0.56-¥0.56。NXP SemiconductorsBCM857BV,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 45V 100mA 175MHz 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载BCM857BV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCM857BV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的BCM857BV,115是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,其应用场景广泛且多样化。该型号的双极晶体管阵列因其高可靠性、低功耗和高效能而在多个领域中表现出色。 1. 消费电子 在消费电子产品中,BCM857BV,115常用于音频放大器、电源管理模块等。例如,在便携式音响设备中,它能够提供稳定的电流输出,确保音频信号的清晰传输。此外,它还可以用于手机和平板电脑中的电源调节电路,帮助延长电池寿命并提高设备的整体性能。 2. 工业控制 在工业自动化和控制系统中,BCM857BV,115可以作为驱动器或开关元件,用于控制电机、继电器和其他执行机构。它的高耐压和大电流特性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作,适用于工厂自动化、机器人控制等领域。 3. 汽车电子 BCM857BV,115在汽车电子系统中也有广泛应用。它可以用于车灯控制、雨刷电机驱动、座椅加热等功能模块。由于其出色的温度特性和抗干扰能力,这款晶体管阵列能够在车辆运行过程中保持稳定性能,确保驾驶安全。 4. 通信设备 在通信设备中,BCM857BV,115可用于信号放大、滤波和调制解调电路。例如,在基站和无线路由器中,它能够有效处理高频信号,保证数据传输的稳定性和可靠性。此外,它还可以用于手持终端设备中的射频前端模块,提升信号质量和通信距离。 5. 医疗设备 在医疗设备领域,BCM857BV,115可以用于心电图机、血压计等仪器的电源管理和信号处理部分。其低噪声和高精度特性有助于提高测量结果的准确性,为医生提供更可靠的诊断依据。 总之,BCM857BV,115凭借其优异的电气性能和广泛的适用性,成为众多电子产品中不可或缺的关键组件。无论是消费级产品还是专业级应用,它都能提供稳定可靠的支持。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL PNP 45V 100MA SOT666两极晶体管 - BJT Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 6-Pin |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BCM857BV,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BCM857BV,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-666 |
其它名称 | 568-6930-6 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 175 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-666 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 2 PNP(双)配对 |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | - 200 mA |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 450 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 45 V |
集电极—基极电压VCBO | - 50 V |
集电极连续电流 | - 100 mA |
频率-跃迁 | 175MHz |