ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > BCM856BS,115
Datasheet下载- 型号： BCM856BS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BCM856BS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCM856BS,115价格参考。NXP SemiconductorsBCM856BS,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 65V 100mA 175MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载BCM856BS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BCM856BS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BCM856BS,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极晶体管 (BJT) 阵列。该型号的晶体管阵列具有多个独立的 BJT 单元，通常用于需要多通道开关或信号放大的应用场景。以下是 BCM856BS,115 的一些典型应用场景： 1. 多通道信号处理 BCM856BS,115 可以用于多通道信号处理电路中，例如音频设备、传感器信号放大器等。每个 BJT 单元可以独立工作，处理不同的输入信号，适用于需要同时处理多个信号源的系统。 2. 开关应用 该晶体管阵列可以作为开关元件使用，尤其是在需要多个独立开关的情况下。它可以用于电源管理电路、继电器驱动、LED 驱动等场景，能够有效地控制电流的通断，确保系统的稳定性和可靠性。 3. 逻辑电平转换 在混合信号系统中，BCM856BS,115 可以用于逻辑电平转换，将低电压信号转换为高电压信号，或者反之。这种应用常见于接口电路中，尤其是在不同电压标准的模块之间进行通信时。 4. 电机驱动 该晶体管阵列可以用于小型电机驱动电路中，尤其是需要多个电机独立控制的应用。通过适当的驱动电路设计，BCM856BS,115 可以提供足够的电流来驱动电机，并且可以通过调节基极电流来控制电机的速度和方向。 5. 模拟信号放大 BCM856BS,115 也可以用于模拟信号放大电路中，尤其是在需要多级放大的情况下。每个 BJT 单元可以作为一个放大级，逐级放大微弱的输入信号，最终输出较大的信号幅度。 6. 保护电路 在某些应用中，BCM856BS,115 可以用作过流保护或短路保护元件。通过检测电流的变化，晶体管可以在异常情况下迅速切断电路，防止损坏其他关键组件。 总的来说，BCM856BS,115 晶体管阵列凭借其多通道特性，适用于多种电子电路设计，特别是在需要多个独立控制或信号处理的场合。它具有较高的可靠性和稳定性，能够满足工业、消费电子等多种领域的应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 65V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT COMPLEX DISCRETE S2022D/SOT45 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BCM856BS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BCM856BS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6873-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双）配对 |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 200 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 65V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 290 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 65 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 175MHz |
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