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  • 型号: BCM847DS,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BCM847DS,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BCM847DS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCM847DS,115价格参考。NXP SemiconductorsBCM847DS,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 45V 100mA 250MHz 380mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载BCM847DS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCM847DS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BCM847DS,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管 (BJT) 阵列,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景及特点:

 1. 信号放大
   - BCM847DS,115 可用于音频、射频或其他信号的放大。由于其高增益特性,适合在低噪声要求的场景下进行小信号放大。
   - 常见应用包括麦克风前置放大器、无线通信设备中的射频信号放大等。

 2. 开关电路
   - 这款 BJT 阵列可以作为开关元件使用,适用于数字逻辑电路中的开关功能。
   - 在需要快速切换的场景(如 LED 驱动、继电器控制或电机驱动)中表现良好。

 3. 功率管理
   - 在低功耗系统中,BCM847DS,115 可用于电压调节或电流限制电路,帮助优化功率分配。
   - 例如,在电池供电设备中实现简单的线性稳压功能。

 4. 传感器接口
   - 该晶体管阵列可用于放大传感器输出的微弱信号,例如温度传感器、压力传感器或光电二极管的信号。
   - 提供高灵敏度和稳定性,确保信号传输的准确性。

 5. 振荡器与定时电路
   - BCM847DS,115 可用于构建多谐振荡器、单稳态触发器或定时电路,适用于时钟信号生成或延时控制。

 6. 音频设备
   - 在小型音频设备中,这款晶体管阵列可作为驱动级或输出级元件,用于推动扬声器或耳机。

 7. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中,BCM847DS,115 可用于控制指示灯、报警器或其他低功率负载。

 特点总结:
- 高增益:适合信号放大和精密控制。
- 低饱和电压:提高效率,减少功耗。
- 可靠性高:适合工业和消费类应用。
- 紧凑封装:节省空间,便于设计小型化产品。

综上所述,BCM847DS,115 主要应用于信号处理、功率管理、开关控制以及传感器接口等领域,能够满足多种电子设备的设计需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL NPN 45V 100MA 6TSOP两极晶体管 - BJT TRANS MATCHED PAIR

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BCM847DS,115-

数据手册

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产品型号

BCM847DS,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

568-6099-1

功率-最大值

380mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

250 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

SOT-457

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)配对

最大功率耗散

380 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流电流增益hFE最大值

200 at 2 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

200 at 2 mA at 5 V

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

零件号别名

BCM847DS T/R

频率-跃迁

250MHz

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