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BCM847DS,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BCM847DS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCM847DS,115价格参考。NXP SemiconductorsBCM847DS,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 45V 100mA 250MHz 380mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载BCM847DS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCM847DS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BCM847DS,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管 (BJT) 阵列,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景及特点: 1. 信号放大 - BCM847DS,115 可用于音频、射频或其他信号的放大。由于其高增益特性,适合在低噪声要求的场景下进行小信号放大。 - 常见应用包括麦克风前置放大器、无线通信设备中的射频信号放大等。 2. 开关电路 - 这款 BJT 阵列可以作为开关元件使用,适用于数字逻辑电路中的开关功能。 - 在需要快速切换的场景(如 LED 驱动、继电器控制或电机驱动)中表现良好。 3. 功率管理 - 在低功耗系统中,BCM847DS,115 可用于电压调节或电流限制电路,帮助优化功率分配。 - 例如,在电池供电设备中实现简单的线性稳压功能。 4. 传感器接口 - 该晶体管阵列可用于放大传感器输出的微弱信号,例如温度传感器、压力传感器或光电二极管的信号。 - 提供高灵敏度和稳定性,确保信号传输的准确性。 5. 振荡器与定时电路 - BCM847DS,115 可用于构建多谐振荡器、单稳态触发器或定时电路,适用于时钟信号生成或延时控制。 6. 音频设备 - 在小型音频设备中,这款晶体管阵列可作为驱动级或输出级元件,用于推动扬声器或耳机。 7. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,BCM847DS,115 可用于控制指示灯、报警器或其他低功率负载。 特点总结: - 高增益:适合信号放大和精密控制。 - 低饱和电压:提高效率,减少功耗。 - 可靠性高:适合工业和消费类应用。 - 紧凑封装:节省空间,便于设计小型化产品。 综上所述,BCM847DS,115 主要应用于信号处理、功率管理、开关控制以及传感器接口等领域,能够满足多种电子设备的设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS DUAL NPN 45V 100MA 6TSOP两极晶体管 - BJT TRANS MATCHED PAIR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BCM847DS,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BCM847DS,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | 568-6099-1 |
功率-最大值 | 380mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 250 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SOT-457 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双)配对 |
最大功率耗散 | 380 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 15nA (ICBO) |
直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
零件号别名 | BCM847DS T/R |
频率-跃迁 | 250MHz |