ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BC858AWT1G
Datasheet下载- 型号： BC858AWT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC858AWT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC858AWT1G价格参考。ON SemiconductorBC858AWT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 30V 100mA 100MHz 150mW 表面贴装 SC-70-3（SOT323）。您可以下载BC858AWT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC858AWT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC858AWT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的单个双极晶体管（BJT），属于 NPN 类型。它具有低饱和电压和高电流增益的特点，适用于各种低功耗、小信号放大和开关应用。以下是 BC858AWT1G 的一些典型应用场景： 1. 低功耗放大器 BC858AWT1G 可用于设计低功耗音频放大器或传感器信号放大电路。由于其低饱和电压特性，能够在低电源电压下工作，适合电池供电设备。例如，在便携式音频设备、无线耳机或物联网（IoT）传感器节点中，BC858AWT1G 可以作为前置放大器，将微弱的模拟信号放大到后续处理所需的水平。 2. 开关应用 该晶体管的高电流增益使其非常适合用作开关元件。它可以用于控制继电器、LED、小型电机等负载。在消费电子、家电和汽车电子中，BC858AWT1G 可以作为驱动电路的一部分，通过微控制器或其他逻辑信号来控制外部设备的通断。例如，在智能照明系统中，BC858AWT1G 可以根据环境光传感器的输出来控制 LED 灯的亮度或开关状态。 3. 保护电路 BC858AWT1G 还可以用于过流保护电路。通过检测负载电流，当电流超过设定阈值时，晶体管可以迅速切断电源，防止过载损坏其他组件。这种保护机制广泛应用于电源管理系统、充电器和其他需要电流监控的设备中。 4. 温度补偿电路 由于其稳定的温度特性，BC858AWT1G 可用于温度补偿电路。在精密测量仪器或对温度敏感的应用中，它可以帮助抵消温度变化对电路性能的影响，确保系统的稳定性和准确性。 5. 通信设备中的射频（RF）应用 虽然 BC858AWT1G 主要用于低频应用，但在某些情况下，它也可以用于射频前端电路中的低噪声放大器（LNA）。通过适当的匹配网络设计，它可以提高接收信号的质量，减少噪声干扰。 总之，BC858AWT1G 是一款多功能的双极晶体管，适用于多种低功耗、小信号放大和开关应用，尤其适合对成本和体积有严格要求的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 30V 100MA SOT-323两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC858AWT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC858AWT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 125 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA （ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 90 |
| 系列 | BC858AW |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.65 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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