ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BC857W,115
Datasheet下载- 型号： BC857W,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC857W,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC857W,115价格参考。NXP SemiconductorsBC857W,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 45V 100mA 100MHz 200mW 表面贴装 SOT-323-3。您可以下载BC857W,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC857W,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC857W,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极晶体管 (BJT)，属于单晶体管类型。该型号的晶体管具有广泛的应用场景，尤其适用于低功耗和小信号放大的场合。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 BC857W,115 晶体管常用于音频、射频等信号放大的电路中。由于其低噪声特性和良好的线性度，适合用于前置放大器、麦克风放大器等需要高保真信号传输的设备中。 2. 开关应用 该晶体管也适用于各种开关电路，如继电器驱动、LED 驱动等。它可以在低电压下快速切换，确保电路的高效运行。此外，它还可以用于逻辑电平转换，帮助不同电压级别的电路之间进行通信。 3. 保护电路 BC857W,115 可以用作过流保护或短路保护电路中的关键元件。通过检测电流的变化，晶体管可以迅速切断电源，防止电路过载或损坏其他元件。 4. 电源管理 在一些简单的电源管理电路中，BC857W,115 可以用于稳压器、电流源等设计。它的低饱和电压特性有助于提高电源效率，减少能量损耗。 5. 传感器接口 晶体管可以作为传感器信号的缓冲或放大元件，特别是在温度传感器、压力传感器等模拟信号处理中。它能够将微弱的传感器输出信号放大到后续电路可以处理的水平。 6. 无线通信 在低功率的无线通信模块中，BC857W,115 可用于射频信号的调制和解调电路，帮助实现稳定的信号传输和接收。 总结 BC857W,115 晶体管以其出色的性能和可靠性，在多种电子设备中发挥着重要作用。无论是消费电子产品、工业控制还是通信领域，它都是一种非常实用的元器件。其低功耗、高稳定性和易于集成的特点，使其成为工程师们设计小型化、高效能电路的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC857W,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC857W,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 125 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-6088-6 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 125 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 125 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | BC857W T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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