ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > BC857BV,115
Datasheet下载- 型号： BC857BV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC857BV,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC857BV,115价格参考￥0.30-￥0.30。NXP SemiconductorsBC857BV,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-666。您可以下载BC857BV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC857BV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC857BV,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的双极晶体管 (BJT) 阵列。该型号属于小型信号晶体管，广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电路 BC857BV,115 常用于开关电路中，尤其是在低功率应用中。它可以在导通和截止状态之间快速切换，适用于数字逻辑电路、继电器驱动、LED 驱动等场景。由于其低饱和电压和高增益特性，能够有效提高开关效率并减少功耗。 2. 信号放大 在音频放大器、传感器信号调理电路中，BC857BV,115 可以用作小信号放大器。它具有较高的电流增益（hFE），能够在不显著增加噪声的情况下放大微弱信号，适用于前置放大器、收音机、对讲机等设备中的信号处理部分。 3. 保护电路 该晶体管还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过监测电流的变化，BC857BV,115 可以在检测到异常时迅速切断电路，保护后续电路免受损坏。例如，在电源管理模块中，它可以作为限流元件，确保系统在过载情况下不会受损。 4. 温度传感器 BC857BV,115 的基极-发射极电压（Vbe）随温度变化而变化，因此可以用于简单的温度传感电路。通过测量 Vbe 的变化，可以推算出环境温度，适用于低成本的温度监控应用。 5. 脉宽调制 (PWM) 控制 在 PWM 控制电路中，BC857BV,115 可以作为驱动晶体管，用于控制电机速度、LED 亮度等。它的快速响应时间和低饱和电压使其非常适合高频 PWM 应用，如风扇控制、灯光调光等。 6. 通信设备 在一些低频通信设备中，BC857BV,115 可以用于调制解调电路，帮助实现信号的发送和接收。它的小型化设计和稳定的性能使其成为手持式无线电、无线遥控器等设备的理想选择。 总的来说，BC857BV,115 以其紧凑的封装、可靠的性能和广泛的应用范围，成为了许多电子设备中的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 45V 100MA SOT666两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC857BV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC857BV,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-11094-2 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 200 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 零件号别名 | BC857BV T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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