ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > BC857BV,115
Datasheet下载- 型号： BC857BV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC857BV,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC857BV,115价格参考￥0.30-￥0.30。NXP SemiconductorsBC857BV,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-666。您可以下载BC857BV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC857BV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC857BV,115 是一种常见的 NPN 型硅晶体三极管，广泛应用于各种电子电路中。它具有低噪声、高增益和宽频率响应的特点，适用于信号放大、开关控制等应用场景。 1. 信号放大 BC857BV,115 常用于音频放大器、射频（RF）放大器和其他模拟信号处理电路中。由于其低噪声特性，它可以有效地放大微弱的信号而不引入过多的噪声，特别适合用于前置放大器或对信号质量要求较高的场合。例如，在无线通信设备中，BC857BV,115 可以作为射频信号的放大元件，确保信号在传输过程中保持清晰和稳定。 2. 开关控制 该三极管也可以用作开关元件，特别是在数字电路中。通过控制基极电流，可以实现集电极和发射极之间的导通或截止状态，从而控制负载的工作。这种应用常见于电源管理、继电器驱动、LED 驱动等场景。例如，在智能家居系统中，BC857BV,115 可以用来控制灯光的开关或调节亮度。 3. 传感器接口 在传感器接口电路中，BC857BV,115 可以用于信号调理和放大。许多传感器输出的信号非常微弱，直接连接到后续电路可能无法正常工作。通过使用 BC857BV,115 对这些信号进行放大，可以提高系统的灵敏度和可靠性。例如，在温度传感器、光敏传感器等应用中，BC857BV,115 可以将传感器输出的微弱信号放大到合适的电平，以便进一步处理。 4. 脉冲调制与解调 在一些通信系统中，BC857BV,115 可以用于脉冲调制和解调电路。通过控制基极输入的脉冲信号，可以实现对载波信号的调制或解调。这种应用常见于红外遥控、无线电通信等领域。 5. 振荡电路 BC857BV,115 还可以用于构建振荡电路，如 LC 振荡器、RC 振荡器等。通过合理设计反馈网络，可以使三极管进入振荡状态，产生稳定的频率信号。这种应用常见于时钟电路、定时器等场合。 总的来说，BC857BV,115 是一种多功能的 NPN 三极管，适用于多种电子电路中的放大、开关、信号调理等任务，尤其适合对信号质量和稳定性有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 45V 100MA SOT666两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC857BV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC857BV,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-11094-2 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 200 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 零件号别名 | BC857BV T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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